Lithographie basic information

Lithographieverfahren werden typischerweise dafür verwendet eine gewünschte Struktur zu belichten. Die Probe wird dabei mit dem Lack, der auf die benutzte Strahlung sensitiv reagiert, beschichtet und danach mit der entsprechenden Strahlung belichtet. Nach der Entwicklung der Probe ist die gewünschte Struktur in den Lack übertragen und kann in dieser Form weiter prozessiert werden.

Die TDSU 1 bietet verschiedene Möglichkeiten für die Lithographie, basierend auf der Belichtung mit Elektronen oder Photonen. Neben dem Mask Aligner MA6Gen4 für Kontakt- und Proximitybelichtung stehen auch zwei direkt schreibende Systeme zur Verfügung (Elektronenstrahllithographie Raith 150two und eine Laserlithografie DWL 66+).

EBPG5200 (Raith GmbH)

  •     Beschleunigungsspannung 20, 50 und 100 kV
  •     100 MHz
  •     bis zu 20 Bits Auflösung
  •     100 µm bis 1mm Schreibfeldgröße
  •     Schreibmodus step and repeat mit optimierten Stage Einstellungen
  •     Minimale Strukturgröße < 8 nm
  •     Stitching und Overlay bis zu < 10 nm

Raith 150two (Raith GmbH)

  •     Beschleunigungsspannung EHT = 0.1 kV - 30 kV
  •     Schreibfeld WF = (500 µm)² - (2 mm)²
  •     Interferometrisch kontrollierter Probentisch → Sehr gutes Schreibfeld-Stitching (Genauigkeit 3σ < 40nm @WF 100μm, EHT 10kV, Verweilzeit > 1 μs)
  •     Höhensensor Unit (Genauigkeit σ < 1 μm)
  •     Overlay Belichtung (Genauigkeit 3σ < 40 nm @WF 100 μm, EHT 10 kV, Verweilzeit > 1 μs)
  •     Beschreibbarer Bereich bis zu d = 6", maximale Probengröße d = 8"
  •     Fixed Beam - Moving Stage Schreibmodus zur Vermeidung von Stitchingfehlern
  •     Möglichkeit zur Grautonbelichtung

Mask Aligner: MA6Gen4 (Suess MicroTec)

  • Soft-, Hart-, Vakuum- und Proximity-Kontakt möglich
  •     MO Optik mit telezentrischer Beleuchtung zur gleichmäßigen Ausleuchtung des Belichtungsfeldes, Entkopplung des Beleuchtungslichts von der der Lichtquelle und Definition des Beleuchtungswinkelspektrums → hohe Auflösung oder geringe Divergenz möglich
  •     Split Field und Single Field Topside Alignment
  •     Automatisches Keilfehlerausgleichssystem
  •     Modus für Belichtung mit konstanter Leistung oder Dosis
  •     LED Lampenhaus

Laser lithography: DWL66+ (Heidelberg Instruments)

  •     Halbeiterlaser λ=405 nm
  •     Minimale Strukturgröße 400 nm
  •     Graustufenbelichtung und Kompensation der Lackkontrastkurve
  •     Overlay Belichtung mit Alignment von der Ober- und Unterseite
  •     Interferometrisch kontrollierter, einachsiger, luftgelagerter Probentisch
  •     Hohe Schreibgeschwindigkeit aufgrund eines akustooptischen Deflektors
  •     Kamerasystem für Overlay und Metrologie

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