Trockenätzen Grundlagen
Das Trockenätzen wird in der Mikro- und Nanostrukturierung üblicherweise dafür verwendet, lithografisch aufgebrachte Strukturen auf ein unterliegendes Material zu übertragen. Die TDSU 1 stellen zu diesem Zweck verschiedene reaktive Ionenätzanlagen zur Verfügung. Diese Systeme ermöglichen die Kombination von chemischen und physikalischen Ätzmechanismen und erreichen dadurch sehr hohe Ätzraten, Strukturen mit steilen anisotropen Profilen, sowie eine sehr hohe Auflösung.
Eine der induktiv gekoppelten Plasmaanlagen (ICP-RIE) fungiert als Multi-Funktions-Tool zum anisotropen Ätzen von Si-basierten Materialien, Oxiden, Gläsern, Metallen und III-V Halbleitern. Das andere ICP-RIE System wird hauptsächlich zum Tiefenätzen von Quarzglas- und Glas-Strukturen mit hohem Aspektverhältnis genutzt.
Mit dem Kryo- ICP-RIE System besteht die Möglichkeit zum Tiefenätzen von Siliziumstrukturen mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Der Ätzprozess wird bei Temperaturen bis zu -130°C durchgeführt und zeichnet sich durch sehr glatte Ätzflanken aus. Zusätzlich sind die MFCs hier direkt an der Anlage angebracht und unterstützen dadurch die Durchführung von Bosch Prozessen zum Tiefenätzen von Silizium (> 100 µm).